
短路保护及过电流保护实际上均是对IGBT的集点极电流进行检测,无论哪个IGBT发生异常都可保护,由于电流检测内置,故无需另加检测元件。当控制电源电压Vcc下降到容许的下限值时,如果输入信号为ON,则IGBT软关断,输出警报。欠压保护采用滞环控制方式,即当Vcc恢复至上限值时,如输入信号为OFF,则解除报警。从用与IGBT、续流二极管管芯装在同一陶瓷基板上的测温元件检测基板温度,同时采用与IGBT管芯在一起的测温元件检测IGBT管芯温度。当检测出的温度超越保护温度值并持续1ms后,过热保护动作,IGBT被软关断,在2ms的闭锁期间停止工作。306警报输出功能在下桥臂侧各种保护动作闭锁期间,输出报警信号,如控制输入为ON状态,即使闭锁期已结束,报警输出功能也不复位,等到控制输入变为OFF时,报警复位,保护动作解除。在制动单元中使用的IGBT及续流二极管为内置,外界耗能电阻即可构成制动回路,小号减速时的回馈能量,抑制直流测电压的升高。4IGBT一IPM的应用IGBT一IPM既可以用于单相电路也可用于三相电路,用户只需在主接线端接上电源及负载,并向模块提供控制电源及驱动信号,配线即告完成,电路即可工作。为了提高模块的整体应用性能。
广泛应用在斩波或逆变电路中,如轨道交通、电动汽车、风力和光伏发电等电力系统以及家电领域。此外,半导体功率模块主要包括igbt器件和fwd,在实际应用中,为了保证半导体功率模块能够保证安全、可靠的工作,通常在半导体功率模块的dcb板上增加电流传感器以及温度传感器,以对半导体功率模块中的器件进行过电流和温度的实时监控,方便电路进行保护。现有技术中主要通过在igbt器件芯片内集成电流传感器,并利用镜像电流检测原理实现电流的实时监控,例如,对于图2中的电流敏感器件,在igbt器件芯片有源区内按照一定面积比如1:1000,隔离开1/1000的源区金属电极作为电流检测的电流传感器1,该电流传感器1的集电极和栅极与主工作区是共用,发射极则是分开的,因此,在电流传感器1的源区金属上引出电流以测试电极,并在外电路中检测测试电极中的电流,从而检测器件工作中电流状态。但是,在上述镜像电流检测中,受发射极引线的寄生电阻和电感产生的阻抗的影响,电流检测精度会降低,因此,现有方法主要采用kelvin连接,如图3所示,当栅极高电平时,电流传感器1与主工作区分别流过电流,电流传感器1的电流流过检测电阻40到主工作区发射区金属后通过主工作区发射极引线到地。
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