可以大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。规则8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上好串联一个几μH的无铁芯电感，或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。规则9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。规则10.为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的环境温度。双向可控硅典型应用编辑双向晶闸管可用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交接近开关电路流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。图5是由双向晶闸管构成的接近开关电路。R为门极限流电阻，JAG为干式舌簧管。平时JAG断开，双向晶闸管TRIAC也关断。当小磁铁移近时JAG吸合，使双向晶闸管导通，将负载电源接通。由于通过干簧管的电流很小，时间几微秒，所以开关的寿命很长。现在可控硅应用市场相当广阔，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及家电等方面都有可控硅的身影。告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单。
在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。AVTOOnstatethresholdvoltage门槛电压-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通态电流均方值AITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。AIGMForwardPeakGateCurrent门极峰值电流-AI2TCircuitFusingConsideration周期电流平方时间积-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通态临界电流上升率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
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