福建品质Mitsubishi三菱IGBT模块值得推荐 江苏芯钻时代电子科技供应

    本发明涉及驱动电路技术领域，具体为一种igbt驱动电路。背景技术：驱动电路位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。驱动电路的作用：将控制电路输出的pwm脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。现今市场上的igbt驱动电路多采用16v～18v的电压驱动，而在相同的饱和压降vce的情况下，igbt的驱动电压vge越高，集电极电流ic越大，所以在过高的电压下，igbt在工作时会产生较大的峰值电流，从而会使igbt的功耗较大，容易损坏。现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种igbt驱动电路，以解决上述背景技术中提出的现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗的问题。

    所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到所述金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔11，所述源极接触孔11还和穿过所述发射区和所述阱区2接触。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。步骤十、如图1所示，对所述半导体衬底进行背面减薄，进行第二导电类型重掺杂注入并进行退火在所述漂移区1的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区9。更择为，在背面减薄之后以及形成所述集电区9之前，还包括进行一导电类型重掺杂注入并进行退火在所述漂移区1的底部表面形成有由一导电类重掺杂区组成的电场中止层8，后续形成的所述集电区9位于所述电场中止层8的背面。步骤十一、如图1所示，在所述集电区9的底部表面形成由背面金属层13组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽101式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽101的步进，从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层14减少器件的饱和压降。

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