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晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。结构如图(a)所示,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的N区是发射区,掺杂浓度很高;位于下层的N区是集电区,
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如果您选择的元件动作过快,则会出现异常动作或有害的动作。如果元件动作过慢,则受到保护的组件在元件切换到高电阻状态之前可能损坏。使用25℃的典型动作时间曲线来确定自恢复保险丝元件的动作时间对于电路来说是过快还是过慢。如果是则返回第2
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晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路,为输入电压信号,它接入基极-发射极回路,称为输入回路;放大后的信号在集电极-发射极回路,称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部
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PTC可恢复保险丝的动作原理是一种能量的动态平衡,流过PPTC元件的电流由于PPTC的关系产生热量,产生的热全部或部分散发到环境中,而没有散发出去的热便会提高PPTC元件的温度。正常工作时的温度较低,产生的热和散发的热达到平衡。P
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自恢复保险丝自恢复保险丝PPTC就是一种过流电子保护元件,采用高分子有机聚合物在高压、高温,硫化反应的条件下,搀加导电粒子材料后,经过特殊的工艺加工而成。电路正常工作时它的阻值很小(压降很小),当电路出现过流使温度升高时,阻值急剧

