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上传时间:2025-11-07 浏览次数:
文章摘要:(四)发光二极管的检测1.性能好坏的判断用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时

(四)发光二极管的检测1.性能好坏的判断用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降大于(高于万用表R×1k档内电池的电压值)的缘故。用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。TO-252封装的超快速恢复二极管!深圳市凯轩业电子科技有限公司。深圳可控硅管

8550参数是一款PNP型的三极管,它的数据手册给出的各极性击穿电压为:Vcbo:40V;Vceo:25V;Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。8550的不同极之间的击穿电压曲线C1815是一款NPN型双极型三极管,数据手册给出的耐压数据为:Vcbo:60V;Vceo:50V;Vebo:5V。下面是对应的测量耐压曲线。C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线2SC2383是NPN型中级功率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为:Vcbo:160V;Vceo:160V;Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线:2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线如果三极管的耐压不够,往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件,串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。深圳可控硅管晶体管是规范操作电脑,和所有其英特尔3D晶体管技术英特尔3D晶体管技术(16张)他现代电子电路的基本构建块。

8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。

有这么几种常用的三极管,市面上供货量较多的,使用量比较大的,价格也比较便宜的管子(但供参考哦)。(1)、2n3904、2n39062n3904**N型三极管,而2N3906就是p型三极管。这就是我们在设计电路中用来做控制信号用得较多的三极管。较主要的特点是速度特别的快!相当于我们经常说的的开关管!我们在设计电路的控制部分,只关心信号处理时,在这种情况下,我们就只要2n3904、2n3906这种小功率的三级管。速度比较快在控制过程中比较大的好处就是延时特别少。弟二个特点就是价格特别便宜,一般像这样一个是两到三分钱,特别便宜,就是用几个,加起来就几毛钱,然而如果你用一个冷门的三级管,它一个的价格就要几毛钱了,这就是几倍的关系,那肯定是选择性价比高的。弟三要注意2n3904、2n3906一般比较大通过的电流是在200mA,即它比较大通过电流的能力就是200mA,比较好在设计的时候都把它设计为小于200mA。二极管比较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过,反向时阻断 。

半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为-;锗管的导通电压为-),而工程分析时通常采用的是.半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.图三硅和锗管的伏安特性曲线,半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为-;锗管的导通电压为-)。故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。深圳可控硅管

若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。深圳可控硅管

场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管深圳可控硅管

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