广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
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2026-04
广东省科学院半导体研究所开发的磁控溅射复合涂层技术在高级装备领域展现出巨大潜力。通过将CrN基涂层与自润滑相结合,采用多靶磁控溅射系统实现分层沉积——底层通过高能脉冲磁控溅射形成高结合力过渡层,表层通过平衡磁控溅射引入MoS₂润滑
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2026-04
针对深紫外光电子器件的材料需求,研究所开展了磁控溅射制备AlN薄膜的专项研究。借鉴异质外延技术思路,在不同晶面取向的蓝宝石衬底上采用反应磁控溅射沉积AlN薄膜,并结合高温退火工艺优化晶体质量。研究发现,经1700℃退火后,c面蓝宝
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2026-04
钨膜磁控溅射报价涉及多种因素,包括靶材规格、薄膜厚度、沉积面积以及工艺复杂程度。钨膜因其高密度和优良的导电性能,在半导体制造和微电子器件中被较广应用,尤其是在芯片互连和接触层中发挥重要作用。报价通常根据具体加工需求定制,涵盖设备使
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广东省科学院半导体研究所开发的磁控溅射复合涂层技术在高级装备领域展现出巨大潜力。通过将CrN基涂层与自润滑相结合,采用多靶磁控溅射系统实现分层沉积——底层通过高能脉冲磁控溅射形成高结合力过渡层,表层通过平衡磁控溅射引入MoS₂润滑
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在科研和工业生产中,针对不同应用场景对氧化硅薄膜的性能和结构要求各不相同,定制化的氧化硅磁控溅射服务因此显得尤为重要。定制过程涵盖溅射参数的准确调整,包括靶材纯度、气体组成、功率设定及沉积速率等,以满足特定的膜层厚度、均匀度及光学
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在第三代半导体材料制备中,该研究所通过单步磁控溅射工艺实现了关键技术突破。针对蓝宝石衬底上GaN材料生长时氧元素扩散导致的n型导电特性问题,研究团队创新性地采用磁控溅射技术引入10nm超薄AlN缓冲层,构建高效界面调控机制。终制备
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