服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
22
2026-06
星期 一
-
广州直流磁控溅射用途 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射加工是将氮化硅材料通过磁控溅射方法沉积在目标基底上的工艺过程。该加工方式依赖入射粒子与靶材的碰撞，激发靶材原子脱离并沉积形成薄膜，过程中的溅射粒子能量和方向性对薄膜质量有直接影响。氮化硅薄膜因其化学惰性和机械强度，在
-
22
2026-06
星期 一
-
广州磁控溅射特点 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射技术利用磁控溅射设备中磁场的作用，增强等离子体密度，提高入射粒子的能量和溅射效率，从而获得均匀且致密的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜在半导体器件中常用作绝缘层、钝化层以及保护涂层，其优异的电学和机械性能对器件的稳定性和寿命有
-
22
2026-06
星期 一
-
广州反应磁控溅射处理 广东省科学院半导体研究所供应
提高磁控溅射设备的利用率和延长设备寿命是降低成本的有效策略。通过合理安排生产计划，充分利用设备的生产能力，可以提高设备的利用率，减少设备闲置时间。同时，定期对设备进行维护和保养，保持设备的良好工作状态，可以延长设备的使用寿命，减少
-
22
2026-06
星期 一
-
广州射频磁控溅射特点 广东省科学院半导体研究所供应
低温磁控溅射工艺开发针对那些对基板热敏感或需避免高温对材料性能影响的应用场景而设计。这种工艺通过调控基板加热温度和溅射参数，实现薄膜在较低温度下的高质量沉积。低温条件下，溅射过程中入射粒子与靶材原子的碰撞依旧发生，形成级联溅射效应
-
22
2026-06
星期 一
-
广州专业磁控溅射优点 广东省科学院半导体研究所供应
针对柔性电子器件的低温制备需求，研究所开发了低温磁控溅射工艺技术。通过优化溅射功率与工作气压参数，在室温条件下实现了ITO透明导电薄膜的高质量沉积，薄膜电阻率低至1.5×10⁻⁴Ω・cm，可见光透射率超过90%。创新的脉冲偏压辅助
推荐资讯