服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
14
2026-06
星期
-
广州直流磁控溅射用途 广东省科学院半导体研究所供应
高能脉冲磁控溅射技术的研发与应用是该研究所的重点方向之一。其开发的技术通过高脉冲峰值功率与低占空比的协同调控，实现了溅射金属离化率的提升，并创新性地将脉冲电源与等离子体淹没离子注入沉积方法结合，形成新型成膜质量调控技术。该技术填补
-
14
2026-06
星期
-
广州5G半导体器件加工 广东省科学院半导体研究所供应
硅基半导体器件的加工过程复杂多样，涉及多个关键工艺环节，每个环节的技术选择和工艺参数设计都对器件性能产生深远影响。针对不同应用场景和器件类型，提供科学合理的硅基半导体器件加工解决方案，能够帮助科研机构和企业优化工艺流程，提升产品质
-
14
2026-06
星期
-
广州智能磁控溅射用途 广东省科学院半导体研究所供应
设计附着力好的磁控溅射方案需综合考虑溅射参数、基板处理、靶材选择及温度控制等多方面因素。通过调整射频电源功率和直流脉冲电源参数，控制溅射粒子能量和溅射速率，优化薄膜的微观结构和界面结合。基板预处理步骤如等离子清洗，有效去除表面杂质
-
14
2026-06
星期
-
广州磁控溅射分类 广东省科学院半导体研究所供应
低温磁控溅射工艺开发针对那些对基板热敏感或需避免高温对材料性能影响的应用场景而设计。这种工艺通过调控基板加热温度和溅射参数，实现薄膜在较低温度下的高质量沉积。低温条件下，溅射过程中入射粒子与靶材原子的碰撞依旧发生，形成级联溅射效应
-
14
2026-06
星期
-
广州磁控溅射分类 广东省科学院半导体研究所供应
在第三代半导体材料制备中，该研究所通过单步磁控溅射工艺实现了关键技术突破。针对蓝宝石衬底上GaN材料生长时氧元素扩散导致的n型导电特性问题，研究团队创新性地采用磁控溅射技术引入10nm超薄AlN缓冲层，构建高效界面调控机制。终制备
推荐资讯