新闻中心
您当前的位置:首页 > 新闻中心
-
22
2026-07
星期 三
-
广州多层磁控溅射用处 广东省科学院半导体研究所供应
化合物材料磁控溅射工艺是一种利用高能粒子轰击高纯度靶材,经过复杂的粒子散射和靶原子级联碰撞过程,将靶材原子溅射出来并沉积在样品表面的先进工艺。此工艺特别适合制备AlN、ITO、SiN、ZnO、IGZO等功能性化合物薄膜,广泛应用于
-
22
2026-07
星期 三
-
广州金属磁控溅射优点 广东省科学院半导体研究所供应
磁控反应溅射集中了磁控溅射和反应溅射的优点,可以制备各种介质膜和金属膜,而且膜层结构和成分易控。此法引入了正交电磁场,使气体分子离化率从阴极溅射的0.3%~0.5%提高到5%~6%,溅射速率比阴极溅射提高10倍左右。由于目前被普遍
-
22
2026-07
星期 三
-
广州单靶磁控溅射 广东省科学院半导体研究所供应
在磁控溅射靶材的优化设计方面,研究所提出了基于磁场分布的梯度制备方案,并申请相关发明专利。其创新方法根据磁控溅射设备磁场强度分布特征,采用溶液涂布工艺对靶材进行差异化厚度设计——磁场强区增加涂布厚度,弱区减小厚度,经200-150
-
22
2026-07
星期 三
-
广州磁控溅射联系商家 广东省科学院半导体研究所供应
金属薄膜磁控溅射技术能够实现多种金属及化合物材料的均匀薄膜沉积,广泛应用于半导体、光电器件和微纳加工领域。磁控溅射技术的优势体现在其对薄膜厚度和成分的精细控制,以及对基板加热温度的灵活调节。广东省科学院半导体研究所引进的KurtP
-
22
2026-07
星期 三
-
广州反应磁控溅射镀膜 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在磁控溅射技术的极性调控领域取得突破,其开发的双向脉冲双靶闭合式非平衡磁控溅射系统独具特色。该系统将两个磁控靶连接于同一脉冲电源,通过周期性变换靶材极性,使两靶交替充当阴极与阳极——阴极靶执行溅射沉积的同时

