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2026-07
星期 二
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广州直流磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所开发的磁控溅射复合涂层技术在高级装备领域展现出巨大潜力。通过将CrN基涂层与自润滑相结合，采用多靶磁控溅射系统实现分层沉积——底层通过高能脉冲磁控溅射形成高结合力过渡层，表层通过平衡磁控溅射引入MoS₂润滑
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2026-07
星期 一
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广州反应磁控溅射优点 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射技术利用磁控溅射设备中磁场的作用，增强等离子体密度，提高入射粒子的能量和溅射效率，从而获得均匀且致密的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜在半导体器件中常用作绝缘层、钝化层以及保护涂层，其优异的电学和机械性能对器件的稳定性和寿命有
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2026-07
星期 一
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广州直流磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
该研究所将磁控溅射技术与半导体器件封装工艺深度融合，开发了高性能金属化薄膜制备方案。针对MEMS器件的微型化需求，采用射频磁控溅射技术在硅基衬底上沉积Ti/Au复合金属层，通过控制靶基距与基片温度，使金属膜层厚度精度达到±2nm。
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2026-07
星期 一
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广州单靶磁控溅射方案 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所在磁控溅射技术的极性调控领域取得突破，其开发的双向脉冲双靶闭合式非平衡磁控溅射系统独具特色。该系统将两个磁控靶连接于同一脉冲电源，通过周期性变换靶材极性，使两靶交替充当阴极与阳极——阴极靶执行溅射沉积的同时
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2026-07
星期 一
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广州真空磁控溅射方案 广东省科学院半导体研究所供应
在科研和工业生产中，针对不同应用场景对氧化硅薄膜的性能和结构要求各不相同，定制化的氧化硅磁控溅射服务因此显得尤为重要。定制过程涵盖溅射参数的准确调整，包括靶材纯度、气体组成、功率设定及沉积速率等，以满足特定的膜层厚度、均匀度及光学
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