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19
2026-07
星期
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广州脉冲磁控溅射过程 广东省科学院半导体研究所供应
研究所对磁控溅射的等离子体调控机制开展了系统性研究，开发了基于辉光光谱的实时反馈控制系统。该系统首先通过测试靶材的纵向沉积膜厚度分布，预调整磁芯磁场强度分布以获得预设离子浓度；溅射过程中则实时监测靶材表面离子与气体离子的比例关系，
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19
2026-07
星期
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广州反应磁控溅射镀膜 广东省科学院半导体研究所供应
钨膜磁控溅射报价涉及多种因素，包括靶材规格、薄膜厚度、沉积面积以及工艺复杂程度。钨膜因其高密度和优良的导电性能，在半导体制造和微电子器件中被较广应用，尤其是在芯片互连和接触层中发挥重要作用。报价通常根据具体加工需求定制，涵盖设备使
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19
2026-07
星期
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广州脉冲磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
金属磁控溅射企业的发展紧密围绕提升设备性能和工艺适应性展开。随着材料科学和半导体技术的不断进步，企业需要不断优化溅射系统的设计，提升靶材利用率和薄膜均匀性，满足更复杂的材料制备需求。磁控溅射的物理机制依赖高能粒子与靶材原子的碰撞过
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2026-07
星期 六
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广州金属磁控溅射工艺 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射技术利用磁控溅射设备中磁场的作用，增强等离子体密度，提高入射粒子的能量和溅射效率，从而获得均匀且致密的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜在半导体器件中常用作绝缘层、钝化层以及保护涂层，其优异的电学和机械性能对器件的稳定性和寿命有
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2026-07
星期 六
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广州射频磁控溅射工艺 广东省科学院半导体研究所供应
针对柔性电子器件的低温制备需求，研究所开发了低温磁控溅射工艺技术。通过优化溅射功率与工作气压参数，在室温条件下实现了ITO透明导电薄膜的高质量沉积，薄膜电阻率低至1.5×10⁻⁴Ω・cm，可见光透射率超过90%。创新的脉冲偏压辅助
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